pn结的形成过程可以归纳为三个阶段,pn结的形成过程中,扩散运动是什么载流子形成的

 

•在一块硅片上使用不同的掺杂工艺制作出P型半导体和N型半导体在这两种半导体的交界处就会形成PN节。

•P型半导体的掺杂方法就是在四价的硅片当中掺入三价元素例如硼。

•N型半导体的掺杂方法就是在四价的硅片当中掺入五价元素例如磷。

 

•由于物质总是会从高浓度到低浓度方向移动因此在两种半导体中将会产生载流子的扩散运动多子运动。于是N型半导体内的电子会向P型半导体扩散P型半导体内的空穴会向N型半导体扩散由于扩散运动的不断进行空穴和电子的不断复合在这两种半导体的交界处就会形成空间电荷区在空间电荷区内的电子和空穴基本复合完成。

•由于N型半导体的掺杂为正五价的磷元素为正离子因此空间电荷区在N 型半导体处为正称为正离子区。

•由于P型半导体的掺杂为正三价的硼元素相比之下为负离子因此空间电荷区在P 型半导体处为负称为负离子区。

•因此内电场方向由正离子区指向负离子区由于空间电荷区的内电场的作用少数载流子产生漂移运动空穴从N型半导体向P型半导体处运动电子从P型半导体向N型半导体处运动。

•在空间电荷区刚开始形成时由于浓度的影响扩散运动远大于漂移运动因此内电场不断增大内电场的加强有加剧了漂移运动最终扩散运动和漂移运动趋于平衡内电场趋于稳定也就是PN结空间电荷区内基本都是不能移动的正负离子。