欢迎来到飞鸟慕鱼博客,开始您的技术之旅!
当前位置: 首页知识笔记正文

mos管电压电流曲线

墨初 知识笔记 148阅读

MOS管的输出特性曲线是什么?

答:我们先来看一下MOS管的输出特性曲线,MOS管的输出特性可以分为三个区:截止区、恒流区、可变电阻区。. MOSFET输出特性曲线. 截止区:当满足Ugs. 截止区在输出特性最下面靠近横坐标的部分,表示MOS管不能导电,处在截止状态。. 截止区也叫夹断区,在该区时沟道全部夹断,电流Id为0,管子不工作。. 恒流区:当满足Ugs≥Ugs (th),且Uds≥Ugs-Ugs (th),MOS管进入恒流区。. 恒流区在输出特性曲线中间的位置,电流Id基本不随Uds变化,Id的大小主要决定于电压Ugs,所以叫做恒流区,也叫饱和区,当MOS用来做放大电路时就是工作在恒流区(饱和区)。. 注:MOS管输出特性的恒流区(饱和区),相当于三极管的放大区。.

什么是mos管?

答:mos管是金属 (metal)、氧化物 (oxide)、半导体 (semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体 (insulator)、半导体。 MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。 在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。 这样的器件被认为是对称的。 从图1 (a)可以看出,增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。 当栅——源电压vGS=0时,即使加上漏——源电压vDS,而且不论vDS的极性如何,总有一个PN结处于反偏状态,漏——源极间没有导电沟道,所以这时漏极电流iD≈0。

MOS管关断时的分析过程相反,其变化曲线是什么?

答:MOS管关断时的分析过程相反,其变化曲线如图9所示。 t1和t2的时间可以根据RC充放电原理进行近似计算,t1=Rg*Ciss*ln (Vgs/ (Vgs-Vgs (th))),t2= Rg*Ciss*ln (Vgs/ (Vgs-Vp)),其中Vgs为栅极驱动电压大小,Rg为栅极驱动电阻。

MOS管导通条件是什么?

答:MOS管导通条件是Vgs电压至少达到阈值电压Vgs (th),其通过栅极电荷对Cgs电容充电实现,当MOS管完全导通后就不需要提供电流了,即压控的意思。

声明:无特别说明,转载请标明本文来源!