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mosfet电容特性

墨初 知识笔记 200阅读

一般MOSFET的技术规格中与寄生电容相关的参数是什么?

一般MOSFET的技术规格中与这些寄生电容相关的参数为表中的Ciss、Coss、Crss三项。 在按静态特性与动态特性分别记述的技术规格中,是被分到动态特性中的。 这些是影响开关特性的重要参数。 Ciss是输入电容,是栅极-源极间电容Cgs与栅极-漏极间电容Cgd相加的电容,是从输入端看的MOSFET整体的电容。 要使MOSFET工作,需要驱动(充电)该电容,因此是探讨输入元件的驱动能力或损耗时的参数。 Qg是驱动(充电)Ciss所需的电荷量。 Coss是输出电容,是漏极-源极间电容Cds与栅极-漏极间电容Cgs相加的电容,是输出端的整体电容。 当Coss较大时,即使关断栅极,输出端也会有Coss引起的电流,直到输出完全关断是需要时间的。

MOSFET的栅极-漏极间电容是什么?

MOSFET的栅极、漏极及源极通过栅极氧化膜被绝缘。 另外,漏极-源极间借助衬底(Body/PCB板)形成PN结,存在寄生(Body)二极管。 下图的栅极-源极间电容Cgs及栅极-漏极间电容Cgd取决于栅极氧化膜的静电电容。 另外,漏极-源极间电容Cds是寄生二极管的结电容。

MOSFET和双极型晶体管有什么区别?

MOSFET具有负的温度特性,而且变化率比双极型晶体管大。 如:双极型晶体管约为-2.2mV/°C,MOSFET约为-5mV/°C 单位VGS的变化所引起的漏极电流ID的变化。 单位为S。 例如:3S时,VGs变化1V,那么漏极电流会增加3A。

MOS电容有什么好处?

MOS电容有很多好处,面积较小,且容值较大,但是缺点就是电容的精度不够。 下面我们来着重介绍一下MOS电容! 做MOS电容使用时,各个极的接法如下,栅极作为电容的正端,源极漏极和衬底全部连在一起作为负端。
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