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雪崩能量计算公式

终极管理员 知识笔记 147阅读

什么是雪崩能量?

答:雪崩能量通常在非钳位感性开关UIS条件下测量。 其中,有两个值EAS和EAR,EAS为单脉冲雪崩能量,定义了单次雪崩状态下器件能够消耗的最大能量;EAR为重复脉冲雪崩能量。 雪崩能量依赖于电感值和起始的电流值。

如果电感值越大,最终测量的雪崩能量值会增加吗?

答:通常发现:如果电感值越大,尽管雪崩的电流值会降低,但最终测量的雪崩能量值会增加,原因在于电感增加,电流上升的速度变慢,这样芯片就有更多的时间散热,因此最后测量的雪崩能量值会增加。 这其中存在动态热阻和热容的问题,以后再论述这个问题。 图3显示了UIS工作条件下,器件雪崩损坏以及器件没有损坏的状态。

雪崩电压是正温度系数吗?

答:同时,由于雪崩电压是正温度系数,当MOSFET内部的某些单元温度增加,其耐压值也增加,因此,那些温度低的单元自动平衡,流过更多的电流以提高温度从而提高雪崩电压。 另外,测量值依赖于雪崩电压,而在去磁期间,雪崩电压将随温度的增加而变化。

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