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mos管损坏原因

墨初 知识笔记 133阅读

mos管烧坏的原因是什么?

答:Mos管烧坏的原因主要损耗也对应这几个状态,开关损耗(开通过程和关断过程),导通损耗,截止损耗(漏电流引起的,这个忽略不计),还有雪崩能量损耗。 只要把这些损耗控制在mos承受规格之内,mos即会正常工作,超出承受范围,即发生损坏。 而开关损耗往往大于导通状态损耗,不同mos这个差距可能很大。 如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V (BR)DSS (根据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发生破坏的现象。 在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压,或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。 由超出安全区域引起发热而导致的。 发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。

如何避免MOS器件发热而造成的损坏?

答:避免MOS因为器件发热而造成的损坏,需要做好足够的散热设计。 若通过增加散热器和电路板的长度来供所有MOS管散热,这样就会增加机箱的体积,同时这种散热结构,风量发散,散热效果不好。 有些大功率逆变器MOS管会安装通风纸来散热,但安装很麻烦。

为什么MOS管对散热的要求很高?

答:所以MOS管对散热的要求很高,散热条件分为最低和最高,即在运行中的散热情况的上下浮动范围。 一般在选购的时候通常采用最差的散热条件为标准,这样在使用的时候就可以留出最大的安全余量,即使在高温中也能确保系统的正常运行。

为什么mos源级和漏级间由截止到导通开通过程受栅极电容充电过程制约?

答:Mos问题远没这么简单,麻烦在它的栅极和源级间,源级和漏级间,栅极和漏级间内部都有等效电容。 所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程(电容电压不能突变),所以mos源级和漏级间由截止到导通的开通过程受栅极电容的充电过程制约。

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