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mos管有哪几种工作状态

终极管理员 知识笔记 375阅读

什么是mos管?

答:mos管是金属 (metal)、氧化物 (oxide)、半导体 (semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体 (insulator)、半导体。 MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。 在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。 这样的器件被认为是对称的。 从图1 (a)可以看出,增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。 当栅——源电压vGS=0时,即使加上漏——源电压vDS,而且不论vDS的极性如何,总有一个PN结处于反偏状态,漏——源极间没有导电沟道,所以这时漏极电流iD≈0。

mos管的驱动能力是什么?

答:4、驱动能力: mos管 常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。 1、 MOS管 是电压控制元件,而三级 管 是电流控制元件。 在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用 MOS管 ;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用三极 管 。

p沟道耗尽型MOS管的工作原理是什么?

答:P沟道耗尽型MOS管的工作原理与N沟道耗尽型MOS管完全相同,只不过导电的载流子不同,供电电压极性也不同。 耗尽型与增强型的主要区别在于耗尽型MOS管在G端(Gate)不加电压时有导电沟道存在,而增强型MOS管只有在开启后,才会出现导电沟道;两者的控制方式也不一样,耗尽型MOS管的VGS(栅极电压)可以用正、零、负电压控制导通,而增强型MOS管必须使得VGS>VGS(th)(栅极阈值电压)才行。

什么是n沟道增强型MOS管?

答:N沟道增强型MOS管在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层,然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区,从N型区引出电极(漏极D、源极S);在源极和漏极之间的SiO2绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G;P型半导体称为衬底,用符号B表示。 由于栅极与其它电极之间是相互绝缘的,所以NMOS又被称为绝缘栅型场效应管。

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